简介、特点、性能

通过宽总线（通常为1024位或2048位）和高速数据传输实现高带宽，远超传统GDDR5或GDDR6。 低功耗：采用3D堆叠和TSV技术，缩短数据传输距离，降低功耗，适合对功耗敏感的设备。 小尺寸：3D堆叠设计节省空间，适合紧凑型设备。 高密度：通过堆叠多层DRAM芯片，提供更大容量，满足高性能计算需求。 低延迟：短数据传输路径和宽总线有效降低延迟，提升性能。 高可靠性：TSV技术和先进制造工艺增强了稳定性和可靠性。 兼容性：支持与多种处理器（如GPU、CPU、FPGA）集成，应用广泛。 散热性能：3D堆叠设计优化了散热，确保高效运行。

应用场景

HBM广泛应用于需要高带宽和低延迟的领域，如高性能计算、AI、图形处理、网络通信、汽车电子、金融科技、医疗影像和消费电子等

相关企业

Nvidia, AMD, Huawei, Cambricon, T-Head Micron, SKHynix, Samsung, CXMT