概要、特徴、性能パラメータ

HBMは、3次元積層構造とTSV（シリコン貫通電極）技術を活用し、従来のメモリを大幅に超える高帯域幅（HBM3では最大819GB/s）と省電力性を実現する次世代メモリです。AI/機械学習、HPC、データセンター、自動運転などの高性能処理が要求される分野で、大規模データの低遅延転送を可能にします。複数メモリダイの垂直積層（最大16層）と超広帯域バス（1024ビット以上）によりメモリ密度を向上させつつ、1.2Vの低電圧動作で電力効率を最適化しています。主要メ-カ-はSKハイニックス・サムスン・マイクロンで、2026年にはHBM4で8Gbps/ピン・12層積層への進化が予測され、ム-アの法則限界を超える「More than Moore」技術の代表例と位置付けられています。

応用シナリオ

高帯域メモリは、高性能計算、AI、グラフィック処理、ネットワーク通信、自動車電子、フィンテック、医療画像、民生電子など、高帯域と低遅延を必要とする領域で広く活用される。

関連企業

Nvidia, AMD, Huawei, Cambricon, T-Head Micron, SKHynix, Samsung, CXMT